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高功率脉冲磁控溅射技术(上)
高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS),由Kouznetsov1等人于1999年提出,是在脉冲功率技术的基础上发展起来的一种极有前途的磁控溅射技术。为了将该技术与其他脉冲磁控溅射技术区分开来,一般定义为2...
2026/5/1010 -
HiPMS利器新应用-高熵合金薄膜制造
高熵合金氮化物薄膜是一种基于高熵合金设计理念的产物,在热力学和动力学上可以分别具有更低的吉布斯自由能和更小的元素扩散速率,抑制了金属间化合物有序相的生成,促进简单固溶体结构甚至非晶相的形成。独特的设计...
2026/5/109 -
HiPIMS利器新应用-高熵合金薄膜制造
高熵合金氮化物薄膜是一种基于高熵合金设计理念的产物,在热力学和动力学上可以分别具有更低的吉布斯自由能和更小的元素扩散速率,抑制了金属间化合物有序相的生成,促进简单固溶体结构甚至非晶相的形成。独特的设计...
2026/5/109 -
利用HiPIMS制备出的Ti-Si-N薄膜硬度可以达到66GPa!
引言Ti-Si-N是被认为是一种高硬度的膜层,Veprek(1999)提出了一种结构模型,认为是非晶包含纳米晶结构。这有点类似于我们见到的沥青和石头混合路面结构。这里的纳米晶尺寸和非晶含量的多少是很讲...
2026/5/101 -
高功率脉冲磁控溅射技术简介(下)
高离化等离子体沉积成膜的特点:在磁控溅射技术中,可以通过控制沉积参数的变化,转移到成膜粒子的能量,从而调控薄膜性质28。在为生长膜提供能量的各种方法中,电离物质的轰击被广泛使用29,30。许多研究表明...
2026/5/106 -
双极HiPIMS调控薄膜生长过程中的离子能量
引言高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)相比传统直流磁控溅(DCMS),HiPIMS具有高等离子体密度、高金属离化率,更高的离子流密度。但对于优异的薄膜生长来说,仅有高离子流密度还远远不够,为获得更...
2026/5/1012 -
采用脉冲直流PECVD工艺在长管内沉积DLC膜层
引言管道作为一种流体运输工具,管道内表面经常暴露在复杂的介质中。这些流体中存在的污染物或腐蚀性元素会导致管道内壁腐蚀破损,每年都会造成巨大的经济损失。目前,研究人员在短而小管道的内表面使用等离子体放电...
2026/5/100 -
PVD前处理主要是清理掉什么?
引言大家都知道PVD的前处理很重要,甚至有人说,一个膜层镀好,可能有50%以上决定于前处理。那么前处理,主要清理掉什么呢?内容1)油脂类处理:加工、装配、操作时黏附上的润滑油、切削液、防锈油等等2)水...
2026/5/1019 -
双极HiPIMS调控生长高致密性铜薄膜
引言正如前文“双极HiPIMS调控薄膜生长过程中的离子能量”中我们讲到对于HiPIMS放电在负向脉冲放电完成后加一定正向脉冲,可以提高HiPIMS放电后的等离子体电势,从而加速到达基底的离子的能量,提...
2026/5/108 -
HiPIMS反应溅射特性
引言HiPIMS电源在高致密性硬质涂层中有很好工业化利用,但是光学应用中的案例还不多,本文将介绍HiPIMS反应溅射模式下的特性。点睛在反应溅射中,DCMS存在靶面中毒现象,MF溅射虽然能一定程度解决...
2026/5/101 -
HiPIMS靶材溅射速率
引言HiPIMS由于高峰值电流及其高离化率,可以得到性能优异的致密膜层,伴随而来的HiPIMS溅射速率也会相对更低,本文将分析HiPIMS溅射速度低的原因及可能的改进方法。点睛1)HiPIMS溅射速率...
2026/5/101 -
六甲基二硅氧烷(HMDSO)前驱体制备耐腐蚀薄膜
引言金属制品是生活中的,大到轮船飞机,小到铁钉螺丝。现代工业的发展,是以金属为骨骼,但是金属在使用过程中极易腐蚀。防腐蚀工艺有很多种,真空镀膜就是其一。使用PVD技术在表面镀一层耐腐蚀膜层,对平面或者...
2026/5/100 -
HiPIMS自组织放电高分辨光谱影像学
引言因磁场约束,以及超高功率放电,高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)在放电过程中会存在局部放电增强而导致辉光闪烁的不稳定现象。当不稳定辉光存在时,其放电状态也有很大差异,辉光会形成不同的放电组织和...
2026/5/100 -
直流偏压对HMDSO制备C:SiOX膜层性能的影响
HMDSO制备C:SiOX膜层具有优异的耐腐蚀性能,上篇讲到HMDSO/O2比例对膜层成分,耐腐蚀性能与硬度影响。在整个镀膜过程中,偏压也是影响HMDSO制备的C:SiOX膜层性能的因素之一。A.J....
2026/5/100 -
HiPIMS脉冲波形对辉光放电特性的影响
引言HiPIMS电源属于脉冲电源的一种,通过降低占空比到低于10%,在相同功率情况下,可以使得磁控溅射峰值电流三个数量级的增加,本文将介绍脉冲波形对于辉光放电特性的影响,为控制不同靶材辉光特性及工艺优...
2026/5/1015 -
HiPIMS反应溅射制备SiO2-Ta2O5光学干涉膜
引言在Si靶和Ta靶氧反应溅射时,用合适的HiPIMS脉冲参数可以抑制进气迟滞回线,在没有气体控制器下也能保证工艺稳定性。点睛通过HiPIMS反应溅射制备SiO2-Ta2O5光学干涉膜,并和RFMS制...
2026/5/101 -
不同前驱体气体对DLC膜层的影响
在DLC膜层制备的过程中,都会使用到烃类的前驱体气体,而不同的前驱体对膜层的性能有着不同的影响。通过评估一系列烃类前驱体在膜层的硬度、结合力和沉积速率的影响。得到膜层硬度从乙炔的平均15GPa提高到丁...
2026/5/102 -
钢管内壁沉积的类金刚石膜层的耐腐蚀性能
类金刚石碳(DLC)涂层具有高耐磨性、摩擦系数极低、耐腐蚀性高的优良性能。由于这些优良的性能,DLC涂层在石油天然气、半导体、医疗和汽车等行业中引起了广泛的关注。在石油和天然气行业,DLC涂层尤其能改...
2026/5/100 -
HiPIMS有无局部离化区的放电对比研究
引言高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)因磁场约束放电,其靶材附近的放电形式变化多样。放电的不稳定性,等离子体均匀性,等离子体的磁约束情况都是非常值得研究的内容,如等离子体局部离化,电子逃逸等导致的...
2026/5/101 -
利用阳极层离子源在管道内壁制备类金刚石涂层
阳极层离子源由于其简单性和将气体转变为离子束的能力而被广泛研究,其主要功能是在使用期间360°范围内连续产生离子束。通过简单地沿着直管或弯管牵引离子源就可以实现管道内壁涂层的制备。利用传统的物理气相沉...
2026/5/100

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